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イベント情報

5/16開催 第2回公開シンポジウム 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発  -青からパワーへ 離陸する革新的省エネ技術-

イベント・シンポジウムなど2018/04/11

※このイベントは終了しました。

平成28年度に始まった「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」では、
日本発の窒化ガリウム(GaN)材料を用いて
デバイスの省エネルギー化を目指す研究開発を進めてきました。

GaNを使った高効率なパワーデバイスは、日常生活やインフラの省エネ化を、
GaNを使った高効率な光源は、安心・安全な生活・環境を世界に広げます。
GaNには、エネルギーや空間の未来を変えていく、大きな可能性があります。

今年は本プロジェクトの中間年。
これまで得られた、世界初などの革新的な研究成果をご紹介すると共に、
今後の研究開発の方向性、成果をどのように産業へ応用し、
社会実装へ結びつけていくか、議論・討論を行います。

日時

平成30年5月16日(水) 14:00~17:00

場所 学術総合センター 一橋講堂(東京都千代田区一ツ橋2-1-2 学術総合センター内)
申込み 下記「申し込みフォーム」よりお申し込み下さい。(参加無料)
内容 (1) 開会挨拶 文部科学省
(2) 来賓挨拶
(3) 事業概要
(4) 成果報告
  ・中核拠点(名古屋大学)
  ・評価基盤領域(物質・材料研究機構)
  ・パワーデバイス・システム領域(名古屋大学)
  ・レーザーデバイス・システム領域(名城大学)
(5) パネルディスカッション「GaNが作る未来社会」
   谷口研二プログラムディレクター(大阪大学)
   天野浩教授(名古屋大学)
   他 GaN関連の産業界から
(6) 閉会挨拶 文部科学省
主催 文部科学省
お問い合わせ 国立大学法人名古屋大学 シンポジウム担当
TEL: 052-789-4685 FAX: 052-747-6796
E-MAIL:gan-oubo●aip.nagoya-u.ac.jp(●を@に変えて下さい)

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